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USE DMN3110S
DMN3112S
2.4
10
2.0
1.6
I D = 250μA
I D = 1mA
8
T A = 25°C
6
1.2
4
0.8
0.4
2
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
1,000
C iss
100
C oss
C rss
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
10
0
5 10 15 20 25
30
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Total Capacitance
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
D = 0.02
R ? JA (t) = r(t) * R ? JA
R ? JA = 168°C/W
0.01
D = 0.01
P(pk)
t 1
0.001
D = 0.005
D = Single Pulse
t 2
T J - T A = P * R ? JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 10 Transient Thermal Response
DMN3112S
Document number: DS31445 Rev. 5 - 3
4 of 6
www.diodes.com
February 2014
? Diodes Incorporated
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